DDR3在大容量內存的支持較（jiào）好，而大容量內存（cún）的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位（wèi）操作（zuò）係統的執行上限（不考慮PAE等等的內存映像（xiàng）模式，因這（zhè）些32位元元延（yán）伸模式隻是過渡方式，會降低效能，不會在零售市場成為技（jì）術主流）當市場需求超過4GB的時（shí）候，64位CPU與操作（zuò）係統就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內存的普及時期。DDR3 UB DIMM 2007進入市場，成為主流時間點多數廠（chǎng）商預計會是到2010年。DDR3內存相對於DDR2內存，其實隻是規格上的提（tí）高，並沒（méi）有真（zhēn）正的全麵換代的新架（jià）構。DDR3接觸針腳數目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。

    一、與DDR2相比DDR3具有的優點（桌上型unbuffered DIMM）： 

    1.速（sù）度更快：prefetch buffer寬度（dù）從4bit提升到8bit，核心同頻率下數據傳輸量將會是DDR2的（de）兩倍。
　　　　
    2.更省電：DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V，同（tóng）頻率下比DDR2更省電，搭配（pèi）SRT（Self-Refresh Temperature）功能，內（nèi）部增加溫度senser，可依溫度（dù）動態控製更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功能），達到省電目的。
　　　　
    3.容量（liàng）更大（dà）：更多的Bank數量，依照JEDEC標準（zhǔn），DDR2應可出到單位元元4Gb的（de）容量（亦即單條模塊可到8GB），但目前許多DRAM 廠（chǎng）商的規劃，DDR2生產可（kě）能會跳過這個4Gb單位元元容量，也就是說屆時（shí）單條DDR2的DRAM模塊，容量最大可能（néng）隻會到4GB。而DDR3模塊容量（liàng）將從1GB起跳，目（mù）前規劃（huá）單條模（mó）塊到16GB也沒問題（注意：這裏指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不（bú）在此限）。

    二、DDR2與DDR3內存（cún）的特性區別：

    1、邏輯Bank數量
　　　　
    DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了（le）應對未（wèi）來大容（róng）量芯片的需求（qiú）。而DDR3很可能將從2Gb容量起步（bù），因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還（hái）為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
　　　　
    2、封裝（Packages）
　　　　
    由於DDR3新增了一些功能，在引腳方麵會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采（cǎi）用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規（guī）格。並且DDR3必須是（shì）綠色封裝，不能含有任何有害物質。
　　　　
    3、突發長度（BL，Burst Length）

    由於DDR3的預（yù）取為8bit，所以突（tū）發傳輸周（zhōu）期（BL，Burst Length）也固定為（wéi）8，而（ér）對於DDR2和早期的DDR架構的（de）係統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發（fā）突變）模（mó）式，即（jí）由（yóu）一個BL=4的讀（dú）取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成（chéng）一個BL=8的數據突發傳輸，屆（jiè）時可通過A12地（dì）址線（xiàn）來（lái）控製這一突發模式。
　　　　
    4、尋址時序（Timing）

    就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣（yàng），DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至（zhì）5之（zhī）間，而（ér） DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項（xiàng），分別是0、CL-1和CL -2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入（rù）延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作（zuò）頻率而定。